Установка импульсного намагничивания УИН-ИМПУЛЬС-700С

  • Установка импульсного тока предназначена для создания импульса тока заданных параметров в соленоиде для намагничивания (размагничивания) широкой номенклатуры магнитов из магнитотвердых материалов на основе редкоземельных элементов.
  • Установка характеризуется высокой степенью стабильности, и повторяемости выходных параметров что обеспечивается применением высоко скоростного процессора для контроля и управления.
  • В установке реализованы функции:

    • 1. Подавление обратного импульса при намагничивании (для AlNiCo)
    • 2. Реверсирование магнитного поля в соленоиде
    • 3. Функция позиционирования магнита перед намагничиванием (для Анизотропных магнитов и многополюсных роторов
    • 4. Функции «полного», частичного размагничивания до заданных параметров
    • 5. Функции самодиагностики и контроля рабочих параметров.

    УИН-ИМПУЛЬС-700С

  • Питание 220V 50HZ
  • Рабочее напряжение 10-700(800)В.

  • Дискретность установки напряжения 1В.
  • Емкость накопителя 500-14000Mkf

    Тип индуктора : Внешний

    Габаритные размеры ш/в/г 860/840/670

    Материал магнитов: КС25 , КС35, NdFeBo ,Фериты

    Режим работ:

    • 1. Намагничивание
    • 2. Подбор

    УИН-ИМПУЛЬС-700СР

  • Питание 220V 50HZ
  • Рабочее напряжение 10-700(800)В.

  • Дискретность установки напряжения 1В.
  • Емкость накопителя 500-14000Mkf

    Тип индуктора : Внешний

    Габаритные размеры ш/в/г 860/840/670

    Материал магнитов: AlNiCo,Фериты

    Режим работ:

    • 1. Намагничивание
    • 2. Размагничивание
    • 3. Подбор
    • 4. Намагничивание до заданных параметров*

    УИН-ИМПУЛЬС-700СР2

  • Питание 220V 50HZ
  • Рабочее напряжение 10-700(800)В.

  • Дискретность установки напряжения 1В.
  • Емкость накопителя 500-14000Mkf

    Тип индуктора : Внешний

    Габаритные размеры ш/в/г 860/840/670

    Материал магнитов: КС25 , КС35, NdFeBo, AlNiCo,Фериты

    Режим работ:

    • 1. Намагничивание
    • 2. Размагничивание
    • 3. Подбор
    • 4. Намагничивание до заданных параметров